Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STH175N4F6-6AG

MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STH175N4F6

STH175N4F6-6AG Hakkında

STH175N4F6-6AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 120A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 2.4mOhm on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize ederek verimli çalışma sağlar. H2PAK-2 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarım gerektiren devrelere entegre edilebilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Anahtarlama, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7735 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package H2Pak-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok