Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH170N8F7-2
MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH170N8F7
STH170N8F7-2 Hakkında
STH170N8F7-2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile 120A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 10V gate sürme voltajında 3.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan STH170N8F7-2, güç dönüştürme, motor kontrol, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, 250W maksimum güç dağılımı yeteneğine sahiptir ve 120nC gate yükü karakteristiği hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8710 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok