Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STH150N10F7-2

MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STH150N10F7

STH150N10F7-2 Hakkında

STH150N10F7-2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 110A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 3.9mΩ maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj pakajında sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 250W güç dağıtma kapasitesi ve -55°C ile 175°C geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygundur. 4.5V eşik gerilimi, 10V sürücü geriliminde kontrol kolaylığı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8115 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 55A, 10V
Supplier Device Package H2Pak-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok