Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STH145N8F7-2AG

MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STH145N8F7

STH145N8F7-2AG Hakkında

STH145N8F7-2AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltaj ve 90A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (4mΩ @ 45A, 10V) ile verimli güç iletimi sağlar. H2Pak-2 yüzey montajlı pakette sunulan transistör, 10V gate sürücü voltajı ile kullanılır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında 200W güç tüketebilir. DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6340 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package H2Pak-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok