Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STH13N120K5-2AG

MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STH13N120K5

STH13N120K5-2AG Hakkında

STH13N120K5-2AG, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V N-Channel MOSFET transistördür. 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç denetimi, elektrik motor sürücüleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 690mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında işletilir ve 250W güç yayılım kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package H2Pak-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok