Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STH130N8F7-2

MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STH130N8F7

STH130N8F7-2 Hakkında

STH130N8F7-2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 110A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. H2PAK-2 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik sistemlerde yaygın olarak yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 10V kapı sürücü gerilimi ile standart mantık seviyeleriyle uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 55A, 10V
Supplier Device Package H2Pak-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok