Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH12N120K5-2
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH12N120K5
STH12N120K5-2 Hakkında
STH12N120K5-2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source voltaj ve 12A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 690mΩ maksimum RDS(on) değeri, 44.2nC gate charge ve 1370pF input capacitance özellikleriyle donatılmıştır. H2PAK-2 (TO-263-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, UPS sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 250W güç üretebildiği için termal yönetim gerektiren tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok