Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH110N7F6-2
MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH110N7F6
STH110N7F6-2 Hakkında
STH110N7F6-2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 68V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 6.3mΩ RDS(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. H2PAK-2 (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 68 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 176W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 55A, 10V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok