Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STH10N80K5-2AG
MOSFET N-CH 800V 8A H2PAK-2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STH10N80K5
STH10N80K5-2AG Hakkında
STH10N80K5-2AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltajı ve 8A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 680mOhm on-resistance değeri ile verimli güç iletimini destekler. H2PAK-2 (TO-263) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, ±30V gate voltajı aralığında çalışabilir ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında operasyon yapar. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrolü, enerji dönüştürücüleri ve anahtarlamali devre tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 426 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 121W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 680mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok