Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STFW6N120K3

MOSFET N-CH 1200V 6A ISOWATT

Paket/Kılıf
TO-3P-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
STFW6N120K3

STFW6N120K3 Hakkında

STFW6N120K3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source voltajı ve 6A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.4Ω @ 10V gate voltajında RDS(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. TO-3P-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, indüktif yükler, anahtarlama devreleri ve güç dönüştürücülerinde uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 63W maksimum güç dağılımına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3PF
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok