Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STFW3N170
MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STFW3N170
STFW3N170 Hakkında
STFW3N170, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 1700V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate sürüş geriliminde 13Ohm maksimum Rds(on) değeri sunar. TO-3P-3 Full Pack montaj tipi ile Through Hole lehimleme uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, enerji yönetim sistemleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi alanlarda tercih edilir. 44nC gate charge ve 1100pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13Ohm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok