Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STFW1N105K3

MOSFET N-CH 1050V 1.4A ISOWATT

Paket/Kılıf
TO-3P-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
STFW1N105K3

STFW1N105K3 Hakkında

STFW1N105K3, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 1050V drain-source gerilimi ve 1.4A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-3P-3 Full Pack (ISOWATT) paketinde sunulan bu bileşen, 10V sürülü voltajda 11Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 20W güç yayabilir. 13nC gate yükü ve 180pF input kapasitansı ile karakterize edilen bu MOSFET, endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürme devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Bileşen 'Not For New Designs' statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1050 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11Ohm @ 600mA, 10V
Supplier Device Package TO-3PF
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok