Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STFU25N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
STFU25N60M2

STFU25N60M2-EP Hakkında

STFU25N60M2-EP, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 18A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sağlanan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 188mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, anahtarlama kaynakları ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1090 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 188mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok