Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STFI9N60M2

MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAKFP

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STFI9N60M2

STFI9N60M2 Hakkında

STFI9N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 5.5A sürekli drain akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajda 780mOhm maksimum on-state direnci ile anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde ve motor sürücü uygulamalarında yer alır. 150°C junksiyon sıcaklığına kadar çalışabilir ve 20W maksimum güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 320 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 780mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package I2PAKFP (TO-281)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok