Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STFI26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STFI26NM60N
STFI26NM60N Hakkında
STFI26NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 165mΩ maksimum RDS(On) değerine sahiptir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 35W güç dağılımı özelliği ile endüstriyel güç elektronikleri, anahtarlama devreleri, SMPS uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAKFP (TO-281) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok