Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STFI13N65M2
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STFI13N65M2
STFI13N65M2 Hakkında
STFI13N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 10A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 430mΩ maksimum drain-source direnci (Rds On) ve 25W güç dissipasyonu kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±25V gate-source gerilim aralığında çalışan bu transistör, 150°C'ye kadar sıcaklıkta kullanılabilir. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, inverterler ve motor kontrol devreleri gibi yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 17nC gate charge ve 590pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Bileşenin statüsü obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAKFP (TO-281) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok