Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STFI12N60M2

MOSFET N-CH 600V 9A I2PAKFP

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
STFI12N60M2

STFI12N60M2 Hakkında

STFI12N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 9A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. 450mΩ maximum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışmaktadır. Endüstriyel güç elektronikleri, motor kontrol devreleri ve güç dönüştürücülerde kullanıma uygundur. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 538 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package I2PAKFP (TO-281)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok