Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STFI11N65M2

MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
STFI11N65M2

STFI11N65M2 Hakkında

STFI11N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 7A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) kılıfında sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi üstlenmektedir. 670mOhm (10V, 3.5A'de) açık-kanal direnci ile enerji verimli çalışma sağlar. Maximum 25W güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve otomotiv devrelerinde kullanılabilir. Through-hole montaj tipi ile klasik PCB tasarımlarına uyumludur. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi ve motor kontrol devreleri gibi alanlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package I2PAKFP (TO-281)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok