Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STFI10NK60Z

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAKFP

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
STFI10NK60Z

STFI10NK60Z Hakkında

STFI10NK60Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 750mOhm maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını minimize eder. 10V gate sürme geriliminde 70nC gate yükü özelliği hızlı komütasyon işlemleri sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. TO-262-3 paketinde sunulan STFI10NK60Z, yüksek güç yoğunluğu gerektiren uygulamalar için tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package I2PAKFP (TO-281)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok