Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STFH10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STFH10N60M2
STFH10N60M2 Hakkında
STFH10N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 7.5A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip olan bu bileşen, TO-220-3 Full Pack paketlemiştir. 10V gate sürüş voltajında 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. 13.5nC gate charge ve 400pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilen bu MOSFET, 25W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Güç kaynakları, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipinde olup endüstriyel ve tüketici ürünlerinde değişik çalışma koşullarında güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FPAB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok