Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STF9NM60N

MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
STF9NM60N

STF9NM60N Hakkında

STF9NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 6.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak yer alır. 10V gate voltajında 745mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli sinyalleştirme ve güç yönetimi sağlar. 150°C çalışma sıcaklığı ve 25W maksimum güç disipasyonu özellikleri ile dayanıklı uzun süreli operasyon imkanı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 452 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 745mOhm @ 3.25A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok