Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STF9NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STF9NM50N
STF9NM50N Hakkında
STF9NM50N, STMicroelectronics tarafından üretilen 500V/5A N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum drain akımı 5A, drain-source gerilimi 500V ve on-resistance değeri 560mOhm (10V gate geriliminde, 3.7A akımda) olarak belirtilmiştir. 150°C maksimum junction sıcaklığında 25W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Gate şarj miktarı 20nC ve input kapasitansi 570pF olup, ±25V maksimum gate-source gerilimini desteklemektedir. Voltaj düşürmeli güç uygulamaları, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Through-hole montajı destekleyen bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok