Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STF9N65M2

MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
STF9N65M2

STF9N65M2 Hakkında

STF9N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 5A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 900mOhm maksimum Rds(on) değerine sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığında 20W güç saçabilir. Switching power supplies, invertörler, motor kontrol devreleri ve diğer yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge (10nC @ 10V) hızlı komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok