Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STF9HN65M2
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220FP
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STF9HN65M2
STF9HN65M2 Hakkında
STF9HN65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 5.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç dönüşüm uygulamalarında, SMPS devrelerde, motor sürücülerinde ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, maksimum 20W güç tüketimi ile çalışabilir. 820mOhm RDS(on) değeri ile iletim kaybı düşüktür. ±25V gate gerilimi aralığında çalışan bu MOSFET, hızlı anahtarlama uygulamaları için 11.5nC gate charge değerine sahiptir. Entüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında tercih edilen bir anahtarlama elemanıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 820mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok