Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STF8N65M5

MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
STF8N65M5

STF8N65M5 Hakkında

STF8N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 7A sürekli dren akımı özellikleri ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 10V gate sürücü geriliminde 600mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge özellikleri ve düşük input kapasitansi hızlı anahtarlama işlemlerine imkan tanır. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, SMPS devreleri, motor kontrol uygulamaları ve yüksek gerilim anahtar devrelerinde tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında 25W güç dissipasyonu yapabilir. Through-hole montajı ile PCB'ye kolay entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok