Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STF6N65M2

MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
STF6N65M2

STF6N65M2 Hakkında

STF6N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj desteği ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4A sürekli drain akımı kapasitesi ve 1.35Ω maksimum açık direnç (Rds On) değerleri ile, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde etkin çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, boost converter, SMPS, motor kontrol ve AC/DC güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-220 Full Pack paketleme ile PCB'ye kolayca monte edilebilir. ±25V gate-source voltaj ve 9.8nC gate charge özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 226 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok