Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STF2HNK60Z

MOSFET N-CH 600V 2A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
STF2HNK60Z

STF2HNK60Z Hakkında

STF2HNK60Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim dayanımı ve 2A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.8Ω maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli güç dağıtımı sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Güç kaynakları, motorlar kontrol devrelerinde, anahtarlama güç kaynakları (SMPS) ve benzer yüksek voltaj kontrol sistemlerinde uygulanabilir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 15nC gate yükü ile hızlı komutlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok