Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STF12NM60N

MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
STF12NM60N

STF12NM60N Hakkında

STF12NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFETidir. 600V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve indüktif yükleme uygulamalarında tercih edilir. 410mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 25W güç dağıtabilir ve ±25V gate gerilimi toleransı ile geniş uygulama yelpazesine uygunluk gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 960 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 410mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok