Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STF11N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STF11N60M2
STF11N60M2-EP Hakkında
STF11N60M2-EP, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 7.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 595mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 595mOhm @ 3.75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok