Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STF10NM65N

MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
STF10NM65N

STF10NM65N Hakkında

STF10NM65N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlama devrelerinde çalışır. 480mOhm maksimum on-direnci (Rds On @ 4.5A, 10V) ile verimli enerji dönüşümü sağlar. 25nC gate charge ve 850pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. 150°C maksimum junction sıcaklığında 25W güç saçabilme kapasitesine sahiptir. Vault devreleri, SMPS ve discrete güç uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok