Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STF10N60DM2

MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
STF10N60DM2

STF10N60DM2 Hakkında

STF10N60DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında güç anahtarlaması, motor kontrol, enerji dönüştürme ve endüstriyel sistemlerde kullanılmaktadır. 10V gate sürüm geriliminde 530mΩ maksimum on-direnç değeri ile verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 25W maksimum güç dağılımına uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 529 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 530mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok