Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STE139N65M5

MOSFET N-CH 650V 130A ISOTOP

Paket/Kılıf
ISOTOP
Seri / Aile Numarası
STE139N65M5

STE139N65M5 Hakkında

STE139N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 130A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Chassis mount ISOTOP paketinde sunulan bu bileşen, 17mΩ maksimum on-state direncine ve 363nC gate charge değerine sahiptir. ±25V gate-source gerilim aralığında çalışır ve 150°C maksimum junction sıcaklığında 672W güç yayabilen bileşendir. Metal Oxide Semiconductor teknolojisi ile üretilmiştir. Yüksek gerilim uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Not: Bu ürün kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 130A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 363 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15600 pF @ 100 V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case ISOTOP
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 672W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 65A, 10V
Supplier Device Package ISOTOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok