Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD9NM60N
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD9NM60N
STD9NM60N Hakkında
STD9NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 6.5A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 745mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 17.4nC gate charge ve 452pF input kapasitansı ile hızlı komütasyon özellikleri sunar. 150°C maksimum junction sıcaklığında 70W güç dağıtabilir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek voltaj DC-DC converterlerde yaygın olarak kullanılır. ±25V gate-source gerilimi ve 4V threshold voltajı ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 452 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 745mOhm @ 3.25A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok