Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD9NM50N-1
MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD9NM50N
STD9NM50N-1 Hakkında
STD9NM50N-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source voltaj ve 5A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması için tasarlanmıştır. 10V gate sürüş voltajında 560mΩ maksimum Rds(On) direnci ile verimli çalışma sağlar. TO-251-3 (IPak) paketinde Through Hole montajına uygun olarak üretilmiştir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve elektrik yönetim sistemlerinde kullanıma uygundur. Maksimum 70W güç yayabilme kapasitesi ile orta güç seviyesi uygulamalarında çalışır. Junction sıcaklığı 150°C'ye kadar dayanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok