Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD9NM40N

MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD9NM40N

STD9NM40N Hakkında

STD9NM40N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source gerilimi ve 5.6A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 60W güç tüketimine dayanabilir. 10V gate sürme geriliminde 790mΩ on-direnci gösterir. 14nC gate yükü ve 365pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. ±25V maksimum gate gerilimi aralığında çalışır. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. Kısa devre koruması ve termal stabilite gereksinimleri olan tasarımlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 365 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 790mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok