Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD9HN65M2
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD9HN65M2
STD9HN65M2 Hakkında
STD9HN65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. DPAK (TO-252) paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürüş geriliminde 820mOhm on-direnci ile çalışır. 60W maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklı tasarımı bulunmaktadır. Anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, güç kaynağı tasarımlarında ve yüksek gerilim anahtarlamalarında tercih edilir. Gate charge karakteristiği 11.5nC olup, hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 820mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok