Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD8NM60ND
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD8NM60ND
STD8NM60ND Hakkında
STD8NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilim derecelendirmesi ve 7A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 700mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzeye monte edilebilir paketlemesi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında ve 70W güç dağıtımı kapasitesiyle, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve güç dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. ±30V maksimum gate-source gerilimi ile geniş çalışma aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok