Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD8NM60N-1

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STD8NM60N

STD8NM60N-1 Hakkında

STD8NM60N-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 650mOhm maximum on-direnci ve 19nC gate charge değerleri ile hızlı anahtarlama işlemlerine uyygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlı güç uygulamalarında kullanılır. 70W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Bileşen kullanımdan kaldırılmış (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok