Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD8NM60N
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD8NM60N
STD8NM60N Hakkında
STD8NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, 650mΩ maksimum drain-source direnci ve 19nC gate charge özelliği ile güç elektronikleri, AC/DC konvertörleri, inverterler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 70W güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Hızlı anahtarlama ve düşük kayıp özelliği sayesinde enerji verimliliği gerektiren sistemlerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok