Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD8NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD8NM50N
STD8NM50N Hakkında
STD8NM50N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilim dayanımı ve 5A sürekli dren akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürüş geriliminde 790mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 45W güç dağılım yeteneği ile güç anahtarlama, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±25V maksimum gate gerilimi ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile geniş çalışma koşullarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 364 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 790mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok