Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD8N65M5

MOSFET N-CH 650V 7A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD8N65M5

STD8N65M5 Hakkında

STD8N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 7A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DPAK (TO-252) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak yer alır. 10V gate sürücü geriliminde 600mΩ tipik on-direnci ve 70W maksimum güç yayılımı özelliği sayesinde verimli tasarımlar için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve yüksek sürü hızına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok