Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD8N60DM2
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD8N60DM2
STD8N60DM2 Hakkında
STD8N60DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj kapasitesi ve 8A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate voltajında 600mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve ters polarite koruması gibi uygulamalarda yer alır. Maksimum 150°C işletme sıcaklığı ile ve 85W güç disipasyonu kapasitesi ile tasarlanmıştır. ±30V maksimum gate-source voltajı ile geniş kontrol aralığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 375 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok