Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD80N6F7

MOSFET N-CH 60V 40A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD80N6F7

STD80N6F7 Hakkında

STD80N6F7, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 40A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (8mΩ @ 20A, 10V) sayesinde yüksek verimlilik gerektiren uygulamalarda kullanılır. TO-252 (DPak) paketine sahip olan STD80N6F7, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları, LED sürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunan bu transistör, 25nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package D-PAK (TO-252)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok