Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD80N6F6

MOSFET N-CH 60V 80A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD80N6F6

STD80N6F6 Hakkında

STD80N6F6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim desteği ile 80A sürekli akım kapasitesi sunar. TO-252 (DPAK) paket tipinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 6.5mΩ tipik on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. ±20V gate gerilimi toleransı ile geniş uygulamalar için uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7480 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok