Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD7NM80-1

MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
STD7NM80

STD7NM80-1 Hakkında

STD7NM80-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi (Vdss) ve 6.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Maksimum 1.05Ω RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir operasyon garantiler. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri başta olmak üzere endüstriyel elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 3.25A, 10V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok