Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD7NM80

MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD7NM80

STD7NM80 Hakkında

STD7NM80, STMicroelectronics tarafından üretilen 800V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. 6.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç elektoniği uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 1.05Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. DPAK (TO-252) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama kaynakları, motor denetleyicileri, güç yönetimi devreleri ve yüksek gerilim DC-DC konvertörlerinde uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, 90W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 3.25A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok