Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD7NM64N

MOSFET N-CH 640V 5A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD7NM64N

STD7NM64N Hakkında

STD7NM64N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 640V drain-source gerilim ve 5A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 1.05Ω on-state direnci (10V gate geriliminde, 2.5A akımda) ile verimli anahtarlama sağlar. 60W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, elektrik pil yönetimi ve high-voltage switching uygulamalarında kullanılabilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. ±25V gate gerilim aralığında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 640 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 363 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok