Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD7NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD7NM50N
STD7NM50N Hakkında
STD7NM50N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 780mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve DC-DC dönüştürücülerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, 45W maksimum güç dağılımına dayanabilir. 400pF input kapasitansi ve 12nC gate charge değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri için uygun karakteristiklere sahiptir. Kompakt DPAK paketi, sınırlı alan gereksinimi olan tasarımlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 780mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok