Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STD7N65M6
MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STD7N65M6
STD7N65M6 Hakkında
STD7N65M6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı özelliğine sahiptir. DPAK (TO-252) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 990mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 6.9nC gate yükü ve 220pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olup, maksimum 60W güç tüketebilir. Yüksek gerilim power supply'ler, motor sürücüler, LED aydınlatma ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 990mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.75V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok