Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STD7N65M2

MOSFET N-CH 650V 5A DPAK

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
STD7N65M2

STD7N65M2 Hakkında

STD7N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 1.15Ω maksimum on-direnci ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 10V gate sürüş geriliminde çalışan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverterler ve anahtarlama güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan STD7N65M2, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok